TN-MSP300S-RFDC雙靶磁控濺射鍍膜儀(DC&RF)是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為直流和射頻雙電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，射頻電源可用于非金屬膜的制備，兩個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。

鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達10E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。

雙靶磁控濺射鍍膜儀用途：

該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該雙靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

雙靶磁控濺射鍍膜儀
樣品臺	尺寸	φ150mm	控溫精度	±1℃
	加熱溫度	zui高500℃	轉(zhuǎn)速	1-20rpm可調(diào)
磁控濺射頭	數(shù)量	2” x2 （1”,2”可選）	水冷機規(guī)格	10L/min流速的循環(huán)水冷機
	冷卻方式	水冷
真空腔體	腔體尺寸	φ300mm × 340mm	觀察窗口	φ100mm
	腔體材料	不銹鋼	開啟方式	上頂開式
質(zhì)量流量計	1路；量程200sccm Ar（可根據(jù)客戶需要定制多路氣路）
真空系統(tǒng)	產(chǎn)品型號	TN-GZK103-A	抽氣接口	KF40
	分子泵	TN-600	排氣接口	KF16
	前極泵	VRD-4	真空測量	復(fù)合真空計
	極限真空	10E-5Pa	供電電源	AC;220V 50/60Hz
	抽氣速率	分子泵：600L/S  旋片泵：1.1L/S  綜合抽氣性能：20分鐘真空度可達： 1.0E-3Pa
電源配置	數(shù)量	直流電源 ×1+射頻電源×1	zui大輸出功率	直流電源500W -1000W可選 射頻電源500W-1000W 可選
其他	供電電壓	AC220V,50Hz	整機尺寸	1090mm × 900mm × 1250mm
	整機功率	6KW	整機重量	350kg

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